概述

       紫外光电二极管(Ultraviolet Photodiode)是一种能够转换紫外光成为电信号的光电传感器其通常由第三代宽禁带半导体材料制成,如氮化镓,碳化硅等,灵敏度范围通常在200nm-400nm范围内,超过这个范围的光谱将无法被探测到。SiC和GaN材料具有极高的辐射硬度、近乎完美的可见盲性、低暗电流、高速度和低噪声的独特特性。这些特性使其成为用于可见光盲半导体紫外线探测器的理想材料。此外,他们的温度系数也很低,抗辐射能力强,都具有体积小、灵敏度高、功耗低、可靠性高等优点。

产品特点:

  • 多类型材料及光谱范围可选;

  • 封装类型丰富;

  • 体积小、功耗低

  • 灵敏度高;可靠性高;
  • 抗可见光干扰能力强;

应用场景:

  • 紫外线监测、
  • 生物荧光光谱分析、
  • 紫外线照明、
  • 紫外线固化
  • 火焰监测

       紫外线监测可以帮助人们了解紫外线的强度,从而采取相应的防护措施;许多物质在紫外光照射下会发生荧光现象,通过分析物质产生的荧光光谱可以了解物质的成分和性质。紫外线可以使许多物质发光,因此可以应用于特殊的照明需求,如夜间显示、防伪和荧光材料激发等。此外,紫外光电二极管还可以用于紫外线固化,在某些工艺中,紫外线可以用于固化胶水、油墨等物质,从而实现快速固化和固定。

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紫外光电二极管

紫外光电二极管采用第三代宽禁带半导体材料,对可见光无响应,克服了硅基紫外传感器对可见光有强烈响应且紫外波段灵敏度低的缺点,具有热导率高、抗辐射能力强、近乎完美的可见光盲等优点,是制备紫外线传感器的理想材料。III族氮化物化合物半导体具有带隙可调的优点,响应波段范围可覆盖可见-紫外波段。具有体积小、灵敏度高、噪声低、抗可见光干扰能力强、功耗低、寿命长等优点。

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真空紫外和极紫外探测器

新一代真空紫外(VUV)探测器和极紫外(EUV)探测器具有暗电流低、量子效率高、本征白光抑制、温度稳定性优和抗辐射能力强等系列性能优势,在193 nm和13.5 nm光刻机紫外光源强度监控、同步辐射等大科学装置、太阳风观测、地球等离子体物理以及工业测量等领域均具有重要的应用。

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