DL-APDI 系列雪崩光电探测器集成了高速响应的雪崩光电二极管（APD）、低噪声放大器及高压供电模块，其中APD 是通过施加反向电压产生的具有内部增益的光电二极管，相对于标准 PIN 光电探测器，雪崩光电探测器具有更高的信噪比 (SNR)、快速响应、更低噪声和高灵敏度的特点，非常适合于低光功率级别的应用，主要应用于微弱光信号接收、光纤传感系统、空间光通信等领域。

       Dimension-Labs 提供工作波长320 nm-1000nm的Si雪崩光电探测器和工作波长850 nm-1650 nm的InGaAs雪崩光电探测器，模块输入光接口分为FC/APC光纤接口和自由空间耦合两种，电信号由SMA端口输出。

 

产品特点

 

• 光谱范围涵盖 320 - 1650nm

 

 

• 带宽最高可达 10GHz

• 低噪声

• 高增益

 

 

应用场景

 

• 弱光检测

• 光纤传感系统

• 空间光通信

 

     

技术简介

 

         一般而言，雪崩光电二极管利用内部增益机制来增加灵敏度。将一个较高的反向偏压施加到该二极管来产生强电场。当入射光子产生一个电子空穴对时，电场使电子加速，导致由碰撞电离产生次级电子。所产生的电子雪崩将产生几百倍的增益因子，用倍增因子M表示，M与反向偏压和温度呈函数关系。一般而言，M因子随温度降低而增大，随温度升高而减小。类似地，M因子将在反向偏置电压升高时增大，在反向偏置电压降低时减小。 

 

       与其他二极管相比，使用雪崩方法提供额外性能的二极管称为雪崩光电二极管。雪崩光电二极管将光信号变为电信号，可以在高反向偏压下工作。雪崩光电二极管的符号是类似齐纳二极管。雪崩击穿主要发生在光电二极管承受最大反向电压时，该电压增强了耗尽层之外的电场。当入射光穿透 p+ 区域时，它会在电阻极大的 p 区域内被吸收，然后生成电子-空穴对。只要存在高电场，电荷载流子包括其饱和速度就会漂移到 pn+ 区域。当速度最高时，载流子将通过其他原子碰撞并产生新的电子-空穴对，巨大的电荷载流子对将导致高光电流。