InGaAs PIN光电二极管

铟镓砷（InGaAs）光电二极管是一种基于Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料的高性能光电器件，以其卓越的红外光探测能力而著称。其核心材料铟镓砷（InGaAs）通过精准调控铟（In）和镓（Ga）的比例，形成具有特定禁带宽度的半导体结构，能够高效吸收800nm至2600nm波长范围内的红外光。在光子撞击下，InGaAs材料内的电子获得能量跃迁至导带，形成光生载流子，从而将红外光信号转化为电信号。

InGaAs光电二极管具备高响应度、低暗电流和快速响应速度等特性，在光通信、红外成像、激光雷达（LiDAR）等领域发挥关键作用。例如，在光纤通信中，其可实现1550nm波长光信号的高灵敏度接收，支撑长距离、高速率的数据传输；在红外热像仪中，能够捕捉微弱的热辐射信号，实现清晰的夜视成像。此外，得益于成熟的半导体工艺，InGaAs光电二极管可集成至小型化、高集成度的光电系统中，为航空航天、安防监控等领域提供可靠的光电探测解决方案。