InGaAs高速 PIN光电二极管

铟镓砷（InGaAs）光电二极管是一种基于Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料的高性能光电器件，以其卓越的红外光探测能力而著称。其核心材料铟镓砷（InGaAs）通过精准调控铟（In）和镓（Ga）的比例，形成具有特定禁带宽度的半导体结构，能够高效吸收800nm至2600nm波长范围内的红外光。在光子撞击下，InGaAs材料内的电子获得能量跃迁至导带，形成光生载流子，从而将红外光信号转化为电信号。

高速铟镓砷（InGaAs)光电二极管的高灵敏度、快速响应、高带宽和低噪声的优点，可应用于多种场景。例如在长距离光纤网络里，即使光信号传得很远变弱了，它也能精准 “抓住” 并转换，保证网络信号稳定不中断；在高速数据传输时，比如 2.5Gbps 以上的传输速率，它能快速完成光信号和电信号的转换，让数据 “跑” 得又快又稳。在自动驾驶领域，激光雷达用它来接收反射回来的激光信号，从而准确判断周围障碍物的距离和位置；红外监控摄像头中，它能把物体发出的热辐射转成图像信号，实现夜视功能。科研人员用它来检测特定波长的光，分析物质成分；在量子通信方面，它能检测单光子信号，保障信息传输的安全性。